La resistenza di ingresso aumenta il segnale.

La resistenza di uscita diminuisce l'amplificazione.

q I_s=corrente di saturazione inversa o corrente di scala (dipende da T e dai parametri costitutivi del diodo).

q V_T=kT/q a T=293° (20°C) V_T 25mV

q GRANDI SEGNALI i_d>>I_s i_d=I_se^v/vt-I_s.

q b dipende, oltre che dalla larghezza della regione di base e dal rapporto dei 2 drogaggi di emettitore e di base, anche dalle condizioni di lavoro del dispositivo.

q Anziché trovarsi la I_s si può usare la formula .

q Nella polarizzazione diretta viene assecondata la corrente di diffusione; quindi vi sarà una tensione positiva sulla zona p e negativa sulla zona n, con conseguente restringimento della regione di svuotamento. Viceversa per la polarizzazione inversa.

q L'andamento esponenziale delle correnti del diodo e del transistore è dovuto essenzialmente al fenomeno di diffusione, che segue una legge esponenziale.

q Sia per i pnp  che per gli npn vale: e con .

q La i_B è dovuta a lacune negli npn ed a elettroni nei pnp.

q Negli npn si ha:   mentre nei pnp:

q Un transistore, per essere polarizzato in zona attiva deve avere EB polarizzata direttamente (e quindi v_BE>0 per gli npn e v_BE<0 per i pnp) e BC polarizzata inversamente.

q R_o è un rapporto differenziale perché è relativo a variazioni attorno ad un punto di lavoro.

q In continua, siccome le variazioni di v_BE attorno a 0,7 sono molto piccole, si approssima v_BE sempre a 0,7. Quindi per es. nel caso della figura la i_E dipenderà da V_E e R_E (e non varranno le formule e ). Inoltre non si sostituisce il modello del BJT perché tanto il transistore funzionerà in una zona sola.

q Generalmente, quello che fa accendere un diodo o un BJT è una tensione e non una corrente.

q La polarizzazione è necessaria per esempio per il corretto utilizzo del transistore come amplificatore (infatti il coefficiente di amplificazione è proporzionale alla corrente di polarizzazione).

q Polarizzare un BJT significa far scorrere una certa corrente continua costante nell'emettitore (o nel collettore), dipendente il meno possibile da T e b. Nel caso del polarizzatore con un solo V_CC la i_E può essere ricavata sdoppiando V_CC e applicando Thevenin tra la base e massa.

Si ottiene dove e R_B=R₁ R₂. Inoltre v_BE dipende da V_CC (e in pratica è una costante e vale 0,7V) quindi in sostanza I_E dipende da V_CC.

q   Tenere presente che nei transistori v_BE (o v_EB per i pnp) oscilla sempre attorno ai 0,7 V quando è in zona attiva.

q   Per l'effetto Early si parla di i_C(v_CE) e non di i_C(v_CB) perché nelle sperimentazioni viene fatto variare v_CE e inoltre V_A è legato a v_CE.

q   Nell'effetto Early le curve per v_CE>v_soglia sono RETTE.

q   Nell'effetto Early il fattore è legato alla I_s perché in realtà è lei che aumenta.

q   I modelli di transistore per piccoli segnali non sono dei circuiti amplificatori reali perché in essi non viene riportato il circuito con i generatori di polarizzazione. E infatti quando vengono sostituiti ai transistori, i generatori in continua vengono cortocircuitati.

q   Variando la v_BE (sempre rimanendo in zona attiva), la v_BC non ne è influenzata perché la corrente i_C che passa nella giunzione BC dipende solo da v_BE in quanto si trascura la I_BCO di portatori minoritari generati termicamente dovuta alla v_BC.

q   La prima cosa da fare è vedere se si può semplificare il circuito con Thevenin.

q   Si dimostra:  applicando Thevenin o Norton.(vale anche il viceversa).

q   Spesso non è molto utile cercare di fare un'analisi esatta quando ragionando per approssimazioni si potrebbe fare molto prima (ad es. trascurando i_B, o utilizzando un metodo iterativo), anche perché tanto con l'analisi esatta si otterrebbero comunque risultati approssimati (nel caso ad es. che si utilizza un modello del 1° ordine).

q   Vedi pag 67 degli esercizi.

q   Quando un diodo viene modellizzato con una resistenza r_p in polarizzazione diretta, la caduta su di essa può essere in alcuni casi trascurata (ad esempio rispetto ad un carico) perché la pendenza che essa rappresenta è molto ripida. Questo avviene nel caso in cui il diodo è un modello per una parte del transistore, cioè della giunzione BE, che anziché presentare una caduta fissa di 0,6V è modellizzata da:

q   Quando il BJT è in saturazione, ovvero appena v_CE scende sotto i 0,2V la i_C (e quindi anche i_E) improvvisamente cala. Si hanno grosse variazioni di i_C e piccole variaioni di v_CE che rimane praticamente attorno a 0,2V.

q   Fai sempre i controlli (un transistore supposto in zona attiva potrebbe invece essere in saturazione).

q   Quando in un transistore la corrente di collettore è nulla esso si può trovare in saturazione (in questo caso però si deve usare una resistenza di saturazione perché v_CE non può essere 0,2V) e inoltre v_CE=0.

q   Vedi esercizio 4.10 pag 182 e 4.12.

q   Nel circuito si ha Q_c(t) = It+Q₀  .

q   Gli specchi di corrente sono come dei generatori di corrente (forniscono I indipendente dal carico).

q   Per il teorema di Miller una resistenza a cavallo tra ingresso e uscita di un amplificatore è equivalente ad una resistenza in parallelo all'ingresso di valore R'=R/(1-A_v).

q   x(t)=x( [x( x(0)]

q   Per gli amplificatori differenziali vale: