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OGGETTO DELLA ESERCITAZIONE: amplificatore RF selettivo |
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Schema planimetrico 646b12g |
Amplificatore BF ad uno stadio
N |
V1( v ) |
V2( v ) |
Ve( v ) |
Vce( v ) |
Vbe( v ) |
Vrc( v ) |
I1(uA) |
Ib(uA) |
Ic(mA) |
Ie (mA) |
Il(mA) |
Vcc( v ) |
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N |
IA (mA) |
Icc(mA) |
Ampli. Sfasa di : |
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Componenti |
R1 (KW |
R2 (kW |
Rc (kW |
Re (kW |
RL (kW |
C1 (uF) |
C2 (uF) |
Ce (uF) |
hFE BF198 |
hoe us |
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Valori nominali |
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Valori misurati |
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Calcolo potenza dissipata da un transistor :
per calcolare la potenza dissipata da un transistor devo prima calcolare la Pbe e poi la PCE infine sommandole ricaverò la Pd.
Pbe = Ibe *Vbe = 11 uW
Pce = Ice *Vce = 8 mW
Pd = Pbe + Pce = 8.011 mW
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