RILIEVO DELLE CARATTERISTICHE DEL BJT

elettronica

RILIEVO DELLE CARATTERISTICHE DEL BJT

obiettivi:

Questa esperienza si pone come obiettivo di rilevare le caratteristiche di un transistor di tipo BJT tramite i valori ricavati dalle misurazioni effettuate sul circuito in dotazione. I valori di misura verranno impostati in tabelle dalle quali si ricaveranno i grafici delle caratteristiche del BJT dalle quali si potranno rilevare le particolarità del componente posto in esame.

materiale e strumenti utilizzati: caratteristiche strumenti utilizzati:

N.2 Tester

N.2 Voltmetri

N.1 Bread Board

N.1 Resistenza 1KW

N.1 Transistor BC 547

N.1 Alimentatore Duale

PROCEDIMENTO:

Il componente posto ad esame è il transistor (transfer resistor) di tipo BJT (bipolar junction transistor). Questo è un dispositivo (al silicio o germanio) costituito da semiconduttori estrinseci p e n, i quali formano due giunzioni pn (base-emettitore e base-collettore) collegate in modo da costituire o una sequenza pnp o una npn (come in questo caso). Per avere un corretto funzionamento del transistor vi devono essere particolari condizioni tra cui una base molto sottile nell'ordine dei mm e meno drogata rispetto a quella dell'emettitore e collettore; si distinguono quindi tre connettori: base, emettitore e collettore. La conduzione nei transistor npn è dovuta al moto degli elettroni liberi e presenta una tensione V_CE  diretta dall'emettitore al collettore. Il transistor BJT è in grado di trasferire una variazione di corrente da una resistenza bassa ad una di valore più elevato (in particolari condizioni di funzionamento), ricavandone un'amplificazione di tensione. Il circuito analizzato risulta a emettitore comune (common emitter: CE) e si 959j91j possono individuare due circuiti distinti; IN entrata (V_BE e I_B) e OUT uscita (V_CE e I_C). Per il rilievo delle misure si è collegato un tester (in funzione di amperometro) in serie ad A₁ (Alimentatore variabile) e un voltmetro in parallelo (quindi a valle perché vi saranno misurazioni di R basse) inseguito vi è il transistor posto ad emettitore comune quindi un tester (in funzione di amperometro per il circuito d'uscita) e l'altro voltmetro in parallelo agli altri morsetti dell'alimentatore variabile (A₂).

MISURAZIONI EFFETTUATE:

Per le misurazioni del circuito d'entrata si è posto V_BE come variabile indipendente (perché nel circuito risulta più facile variare la tensione) e quindi I_D come variabile dipendente; nel circuito di uscita si dovrà avere quindi un valore fisso di V_CE 5 V. Nel circuito d'uscita, invece, si rilevano le misure di V_CE e I_CE per valori costanti di I_B.

CIRCUITO IN: CIRCUITO OUT:

IB0 30mA IB1 40mA IB2 50mA VCE ICE VCE ICE VCE ICE V mA V mA V mA

GRAFICI CARATTERISTICI:

	IB2

	IB0

conclusioni e considerazioni:

In entrambi i circuiti si possono visualizzare le caratteristiche tramite i propri grafici; nel circuito d'entrata la funzionalità è minimamente influenzata dal circuito di uscita e la caratteristica d'ingresso è molto simile a quella di un diodo al silicio, che presenta una tensione di soglia V 0,5 V; il circuito d'uscita, invece, è enormemente influenzato dal circuito d'entrata, e presenta un grafico costituito da una famiglia di curve in cui I_C cresce lentamente all'aumentare di V_CE e per valori di V_CE molto bassi <2V si osserva che le caratteristiche sono meno distinguibili, perciò il transistor viene detto in zona di saturazione.